段天利
助理教授
研究方向： 超表面光学结构、AR眼镜衍射光栅、高K金属栅MOS器件、氮化镓器件、极紫外多层膜
教育及工作经历：
工作经历：
2022年就职于深圳技术大学，中德智能制造学院，助理教授；
2015年就职于南方科技大学，分析测试中心，工程师；
2014年就职于新加坡联华电子，300S，高级工程师；
2009年就职于无锡华润上华科技有限公司，研发部，工程师
2004年就职于无锡华润上华科技有限公司，光刻部，助理工程师
教育经历：
2015年毕业于新加坡南洋理工大学，微电子专业，获得博士学位；
2009年毕业于北京工业大学，微电子学与固体电子学专业，获得硕士学位；
2004年毕业于沈阳工业大学，应用物理专业，获得学士学位；
研究成果及荣誉：
一、期刊论文
1.Tianli Duan, Chenjie Gu, Diing Shenp Ang, Kang Xu and Zhihong Liu， A novel fabrication technique for high-aspect-ratio nanopillar arrays for SERS application，RSC Adv., 2020, 10, 45037-45041
2.Tianli Duan, Kang Xu, Zhihong Liu, Chenjie Gu, Jisheng Pan, Diing Shenp Ang, Rui Zhang, Yao Wang, and Xuhang Ma, A novel fabrication technique for three-dimensional concave nanolens arrays, Journal of Materiomics, Vol.6, Issue 3, 557-562, 2020.
3.Tianli Duan, Yao Wang, Rui Zhang, Xuhang Ma, Chenjie Gu, A Dummy-Pattern-Assisted Lift-Off Method for Small and Dense Nanostructures, IOP Conf. Series: Materials Science and engineering， 774,012116, 2020.
4.Gu, Chenjie, Zhou, Canliang, Ang, Diing Shenp, Ju, Xin, Gu, Renyuan, Duan, Tianli. The role of the disordered HfO2 network in the high-kappa n-MOSFET shallow electron trapping. Journal of Applied Physics, 2019.
5.Fanming Zeng, Judy Xilin An, Guangnan Zhou, Wenmao Li, Hui Wang, Tianli Duan, Lingli Jiang and Hongyu Yu, A Comprehensive Review of Recent Progress on GaN High Electron Mobility Transistors: Devices, Fabrication and Reliability. Electronics，2018.
6.T. L. Duan, J. S. Pan, D. S. Ang, and C. J. Gu, Interfacial Chemistry Study of GaN by Trimethylaluminum-Only Cycles and X-ray Photoelectron Spectroscopy, Ecs Journal of Solid State Science and Technology, 7(5): P281-P286， 2018.
7.Xianqiang Liu, Xiaodi Xu, Chenjie Gu, Renyuan Gu, Weiwei Wang, Wenjun Liu, Tianli Duan, Investigating the impact of the defect dynamic characteristics on the PBTI in the high-κ gate device，Microelectronics Reliability, 80, 24–28,2018.
8.Ning Wang, Hui Wang, Xinpeng Lin, Yongle Qi, Tianli. Duan, Lingli Jiang, Elina Iervolino, Kai Cheng, and H. Yu, Investigation of AlGaN/GaN HEMTs degradation with gate pulse stressing at cryogenic temperature, AIP Advances 7, (2017) 095317.
9.Tian Li Duan, Ji Sheng Pan, Ning Wang, Kai Cheng and Hong Yu Yu, Investigation on Surface Polarization of Al2O3-capped GaN/AlGaN/GaN Heterostructure by Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy, Nanoscale Research Letters, 12:499, 2017.
10.T. L. Duan，L. Pan，Z. Zhang，E. S. Tok，J. S. Pan ，Characterization of the electronic structure and thermal stability of HfO2/SiO2/Si gate dielectric stack，Surface and Interface Analysis， 49（8）, 2017.
11.Duan, T. L.，Pan, J. S.，Ang, D. S.，Investigation of Surface Band Bending of Ga-Face GaN by Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy，Ecs Journal of Solid State Science and Technology，2016，5（9）：P514-P517。
12.Duan, T. L.，Pan, J. S.，Ang, D. S.，Effect of Post-Deposition Annealing on the Interface Electronic Structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN Heterostructure，Ecs Journal of Solid State Science and Technology，2015，4（9）：P364-P368。
13.Wan, Guangxing，Duan, Tianli，Zhang, Shuxiang，Jiang, Lingli，Tang,Bo，Yan, J.，Zhao, Chao，Zhu, Huilong，Yu, HongYu，Overshoot Stress on Ultra-Thin HfO2 High-kappa Layer and Its Impact on Lifetime Extraction，IEEE Electron Device Letters，2015，36（12）：1267-1270。
14.Duan, T. L.，Pan, J. S.，Ang, D. S.，Interfacial chemistry and valence band offset between GaN and Al2O3 studied by X-ray photoelectron spectroscopy，Applied Physics Letters，2013，102（20）。
15.Duan, Tianli，Ang, Diing Shenp，Capacitance Hysteresis in the High-k/Metal Gate-Stack From Pulsed Measurement，IEEE Transactions on Electron Devices，2013，60（4）：1349-1354。
16.Duan, T. L.，Yu, H. Y.，Wu, L.，Wang, Z. R.，Foo, Y. L.，Pan, J.S.，Investigation of HfO2 high-k dielectrics electronic structure on SiO2/Si substrate by x-ray photoelectron spectroscopy，Applied Physics Letters，2011，99（1）。
17.Wu, Ling，Yu, HongYu ，Yew, K. S.，Pan, Jisheng， Liu, W. J.，Duan,TianLi, Multideposition Multiroom-Temperature Annealing via Ultraviolet Ozone for HfZrO High-κ and Integration With a TiN Metal Gate in a Gate-Last Process，IEEE Transactions ON Electron Devices，2011，58（7）：2177-2181。
18.段天利，崔碧峰，王智群，沈光地，量子阱激光器的阈值电流与腔长关系，固体电子学研究与进展，2010，30（2）：165-168。
19.段天利，崔碧峰，张蕾，邹德恕，王智群，沈光地，条形列阵激光器侧向隔离研究，固体电子学研究与进展，2009，29（3）：395-398。
20.张蕾，崔碧峰，段天利,马楠，郭伟玲，王智群，沈光地，隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布，功能材料与器件学报，2008，14（4）：815-820。
二、会议论文或报告
1. Tianli Duan, Yao Wang, Rui Zhang, Xuhang Ma, Xuexuan Qu, A new liftoff method for the small and dense nanostructures, 236th ECS Meeting, 2019.
2. Duan Tianli, Wang Yao, zhang Rui, Ma Xuhang, Qu Xuexuan and Xu Kang，The application of electron beam lithography in the nano-Fabrication，WCAM-2019.
3. Guangxing Wan, Tianli Duan, Shuxiang Zhang, Lingli Jiang, Bo Tang, Chao Zhao, Huilong Zhu, and HongYu Yu，Overshoot stress impact on HfO2 high-κ layer dynamic SILC 2015 IEEE 11th International Conference on ASIC (ASICON)。
4. L. Wu , K.S. Yew , D.S. Ang , W.J. Liu , T.T. Le , T.L. Duan , C.H. Hou , X.F. Yu , D.Y. Lee , K.Y. Hsu, J. Xu, H.J. Tao, M. Cao, and H.Y. Yu,，2010 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2010.
三、发明专利
1.段天利，瞿学选，王尧，张锐，马续航，王春柱，大面积微纳米光栅及其制备方法与应用，申请号：202111176238.6
2.段天利，张锐，王尧，马续航，王春柱，瞿学选，纳米柱阵列及其制备方法，申请号：202010174753.X。
3.段天利，张锐，王尧，徐康，马续航，瞿学选，闪耀光栅及其制备方法和应用，申请号：201910857437.X。（已授权）
4.段天利，张锐，王尧，徐康，马续航，瞿学选，曲面纳米结构的制备方法，申请号：201910719753.0。（已授权）
5.段天利，王尧，张锐，马续航，王春柱，瞿学选，纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法，申请号：201910374321.0。（实审中）
6.段天利，王尧，马续航，张锐，瞿学选，纳米结构的制作方法，申请号：201910171605.X。（实审中），获得2019年南方科技大学优秀专利。
7.段天利，张三强，平梁良，李晓波，一种曝光方法，2012.6.6-2030.12.6，中国，CN201010574406.2。（已授权）
8.黄玮，段天利，邹永祥，胡骏，张辰明，刘志成，线宽均匀性的测试方法，2012.5.23-2030.11.16，中国，CN201010545764.0。（已授权）
9.黄玮，段天利，邹永祥，胡骏，张辰明，刘志成，一种线宽均匀性的测试方法，2012.5.23-2030.11.16，中国，CN201010545771.0。（已授权）
10.张辰明，胡骏，黄玮，刘志成，邹永祥，段天利，光刻胶喷涂装置及其方法，2012.7.4-2030.12.8，中国，CN201010578012.4。（已授权）
四、专著
1. Hongyu Yu and Tianli Duan，《Gallium Nitride Power Devices》，Pan Stanford Publishing Pte. Ltd, 6,July 2017 ISBN:978-981-4774-09-3
2. 段天利，《集成电路产业全书》10.3.7 节 量子线材料。
参加项目情况：
1. 深圳科创委项目名称：基于电子束曝光的高密度纳米柱阵列的开发与应用JCYJ20170817105420497，2018年3月30日-2020年9月30日，主持，结题。
2. 深圳科创委项目名称：基于第三代半导体的超高分辨多物理场分析显微技术及优化制备方法的研究，JCYJ20190809142019365，2020年2月28日-2022年2月28日，参与，在研
3. 深圳科创委项目名称：低成本氮化镓功率器件制备与系统集成技术研究JCYJ20160226192639004，2016年6月17日-2019年6月30日，参与，结题。
4. 科技部 02重大专项，新型超薄高K栅介质与金属栅的研究，2013ZX02303001-003， 2013-01-01至2016-03-31，参与，结题。
获得荣誉
2016年, 深圳市海外高层次人才C类
2017年，深圳市南山区领航人次C类
