微纳芯片产业化中心面向学科前沿，以国家重大工程战略需求和区域经济发展需求为导向，结合现代物理原理和先进工程技术，优化交叉学科，建造创新型、复合型人才培养基地，打造国际先进乃至领先的革新技术，服务于粤港澳大湾区，助推国家产业升级。微纳芯片产业化中心设有MEMS芯片和器件实验室，光电子芯片和器件实验室，芯片和器件封装实验室，模拟仿真实验室等，拥有一支学科背景涵盖MEMS，光电子，光学工程、激光、应用物理、材料物理、计算科学等领域的高水平教学与科研队伍。

霍尔磁传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，通过检测外加环境磁场变化来实现对线性位移，角位移，速度和方向，压力，力矩，以及位置等物理量的检测。集成霍尔传感器，利用硅集成电路工艺将霍尔元器件与测量电路集成在一起，实现了材料、元器件、电路三位一体。霍尔传感器主要分为开关霍尔传感器和线性霍尔传感器两类，广泛应用于工业、消费类电子、家电以及汽车，重型机械等领域。

离子阱量子比特芯片：任何有着两个可能的量子态的系统，例如被囚禁离子的基态和激发态，就可以构成一个量子比特。离子阱量子比特，其技术原理是利用电荷与电磁场间的交互作用力牵制带电离子运动，并利用被囚禁离子的基态和激发态组成的两个能级作为量子比特，利用激光驱动下量子比特与离子链联合振动模式的耦合实现比特间的纠缠。通过在单个势阱中囚禁多个离子，量子比特数可以扩展至数十至上百个。离子阱量子比特具有最长的量子比特相干时间，能够执行高保真度的量子态测量与量子门操作，可实现基于此的可编程量子计算机。